[发明专利]宽输入共模电压比较器

摘要

提供一种用于宽输入共模电压比较器的设计，该设计减小了在来自子比较器的输出之间的延迟。宽输入共模电压比较器包括配置成接收差分输入的第一比较器。所述第一比较器进一步配置成适应高共模电压。宽输入共模电压比较器还包括配置成接收差分输入的第二比较器。所述第二比较器进一步配置成适应低共模电压。另外，在所述比较器内的主动器件的阈值电压在－100mV至100mV之间。此外，宽输入共模电压比较器包括配置成接收第一和第二比较器的输出以产生单端输出的求和电路。

主权项

1.一种低共模电压比较器，包括：第一原生NMOS晶体管，在其源极端子耦合到地；第二和第三原生NMOS晶体管，所述第二和第三原生NMOS晶体管耦合到所述第一原生NMOS晶体管的漏极端子，并接收输入的差分电压作为栅极电压；第一PMOS晶体管，在其漏极端子耦合到所述第二原生NMOS晶体管的漏极端子；所述第一PMOS晶体管的漏极端子还耦合到所述第一PMOS晶体管的栅极端子；第二PMOS晶体管，在其漏极端子耦合到所述第三原生NMOS晶体管的漏极端子；所述第二PMOS晶体管的漏极端子还耦合到所述第二PMOS晶体管的栅极端子；第三PMOS晶体管，在其栅极端子耦合到所述第一PMOS晶体管的栅极端子，所述第三PMOS晶体管的漏极端子耦合到第一输出；以及第四PMOS晶体管，在其栅极端子耦合到所述第二PMOS晶体管的栅极端子，所述第四PMOS晶体管的漏极端子耦合到第一输出；其中：所述第一、第二、第三和第四PMOS晶体管在它们的源极端子耦合到电压源。