[发明专利]消除光刻胶中气泡的方法及凸点制作方法有效
| 申请号： | 200610026756.9 | 申请日： | 2006-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101078890A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 梅娜;王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种消除光刻胶中气泡的方法，具体工艺步骤为：对晶片进行第一次烘焙；沉积凸点下金属层；形成光刻胶层；进行第二次烘焙。使用上述的方法能消除具有各种结构的晶片表面的气泡，消除率达到99.9％。本发明还提供一种消除了光刻胶中气泡的凸点制作方法，以提高凸点制作工艺的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 光刻 气泡 方法 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种消除光刻胶中气泡的方法，其特征在于包括下列步骤：对晶片进行第一次烘焙；沉积凸点下金属层；形成光刻胶层；进行第二次烘焙。
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