[发明专利]一种铜铟硒CuInSe2太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种CuInSe₂太阳能电池及其制备方法，该电池依次由下电极、P型CuInSe₂吸收层、过渡层CdS、N型ZnO层和上电极组成，其制备方法主要包括采用低频振动垂直布里奇曼法或低频振动坩埚下降法制备P型CuInSe₂单晶片、采用水浴法CBD在单晶片一面制作过渡层CdS、在过渡层CdS上利用RF磁控溅射Al₂O₃掺杂的ZnO靶制备N型ZnO层、用磁控溅射或电子束蒸发通过掩模沉积铝或银膜作为上电极、在单晶片的另一面通过掩模用磁控溅射或电子束蒸发沉积下电极。该发明采用Cu/Mo合金代替钼，使得背电极与CuInSe₂吸收层间的结合更牢固，有效改善了CuInSe₂的制作工艺，提高了贵金属材料的利用率及太阳能电池的光转换效率及电池的成品率；具有结构工艺简单、无污染、稳定性好等优点。

主权项

1、一种铜铟硒CuInSe2太阳能电池，其特征在于：所述电池由下电极、P型铜铟硒CuInSe2吸收层、过渡层CdS、N型ZnO层和上电极组成。