[发明专利]化合物半导体层的制作方法及使用该半导体层的太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种CuInSe₂ (CIS)化合物半导体层制作方法：将一定量的高纯铜、铟和硒颗粒充分混匀；装入石英坩埚，并放入石英气氛炉中，通入Ar气；升温至金属颗粒熔化后退火；冷却至室温，制得铜铟硒晶锭；再放入石英气氛炉二次熔化、结晶成锭；将晶锭剥离并敲碎；其碎片和基片放入石英管中进行液相生长；钼、铜薄膜用磁控溅射法制备；升温至晶锭碎片熔化，再将石英管顺时针转90度，使熔融液浸湿衬底；通过将熔融液温度降至液相温度以下，在衬底上液相生长，形成单α相CuInSe₂薄膜。并使用该半导体层，制得太阳能电池。所制备的α－CIS薄膜具有结构缺陷低的优点，改善了太阳能电池贵金属铜、铟、硒材料的利用率。

主权项

1.一种化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：A、将铜、铟、硒混合均匀，在Ar气保护下放到石英气氛炉中升温到使金属颗粒熔化、退火制得铜铟硒晶锭；B、将铜铟硒晶锭放入石英气氛炉进行二次熔化、结晶成锭；C、将晶锭磨碎放入石英管，在真空条件下加热形成均匀铜铟硒熔融液；将Cu(100nm)/Mo(1μm)/石英片浸入熔融液中，让熔融液浸湿所述衬底，通过缓慢将熔融液温度降至比其液相温度低1-2℃，在衬底上液相生长，形成单α相CuInSe2薄膜。