[发明专利]用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法有效
| 申请号： | 200610027258.6 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1866496A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;刘奇斌;张楷亮;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜；(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6)对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)再沉积绝缘介质层，刻蚀出小孔，且与纳米孔对应；(8)沉积电极；(9)对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)通过引线引出上电极，形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路工艺完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 用电 曝光 化学 机械抛光 工艺 制备 电子 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用电子束曝光化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法，其特征在于所述的方法的工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底材料上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层材料与底电极薄膜材料；(3)在底电极薄膜材料上沉积过渡层材料与介质绝缘绝热层材料；(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6)对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)在抛光的表面上再沉积绝缘绝热介质材料，刻蚀出小孔，小孔与纳米孔对应；(8)小孔中沉积金属材料，形成顶电极；(9)对电极材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)顶电极沉积互连线，通过引线引出上电极，形成器件单元或阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
