[发明专利]一种在硅片上化学镀铜的方法无效
| 申请号： | 200610028008.4 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1865500A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡文斌;王会锋 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C18/40 | 分类号： | C23C18/40;C23C18/18 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于化学镀铜技术领域，具体为一种在硅片上镀铜的新方法。该方法是在含铜盐的氢氟酸溶液中，在硅片表面引入铜晶种作为催化剂，进而进行镀铜。由于铜的自催化作用，可以快速地引发化学镀镀液中铜离子的还原，使得还原出的铜快速地沉积在基底的表面上，得到牢固、光亮和均匀的铜镀层。本发明方法操作简便，价格低廉，同时又提高了铜膜的纯度和导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 化学 镀铜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在硅片上化学镀铜的方法，其特征在于具体步骤如下：先对硅表面进行抛光和清洗处理，然后进行刻蚀；将经过抛光清洗和刻蚀处理的硅片放在含硫酸铜的氢氟酸溶液中，进行化学镀铜晶种，时间5秒-5分钟，用水冲洗；最后在以酒石酸钾钠为络合剂，甲醛为还原剂的化学镀溶液中化学镀铜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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