[发明专利]减小相变存储器加热电极面积的方法有效
| 申请号： | 200610028107.2 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1870314A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 吴良才;宋志棠;刘波;冯高明;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减小相变存储器加热电极的方法，首先通过微纳加工技术或亚微米CMOS标准工艺，在SiO2衬底上制备出较大直径的200－500nm的孔洞，接着利用CVD或PVD技术在该孔洞中填充W、TiN等加热材料，然后进行化学机械抛光，形成柱状加热电极。之后，在柱状加热电极上生长量子点(如Si等)，然后将量子点氧化形成绝缘的物质(如SiO2等)，这样就减小了柱状加热电极的有效面积，从而提高电流密度。本发明既避免了直接制备100nm以下加热电极的困难，降低了制造成本，更重要的是降低相变存储器的功耗。不仅适用于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于制备其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米电极，具有很大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 相变 存储器 加热 电极 面积 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减小相变存储器加热电极面积的方法，首先通过微纳加工技术，在长有SiO2或其它介质的衬底上制备200-500nm尺寸的孔洞，接着利用CVD或PVD技术在该孔洞中填充金属加热材料，填满后进行化学机械抛光，形成柱状电极，其特征在于：在所形成的柱状加热电极上覆盖一层分散的绝缘的量子点的方法，达到减小加热电极面积从而降低器件功耗的目的。
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