[发明专利]一种ZnO纳米结构的制备方法无效
| 申请号： | 200610028529.X | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1884091A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 白伟;张秋香;郁可;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杜林雪 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用硫脲溶液刻蚀法制备ZnO纳米结构的方法，首先利用传统的热生长法合成ZnO纳米梳状结构和纳米棒，然后用硫脲溶液对其进行刻蚀，制备出ZnO纳米针管状结构和纳米带状结构。其刻蚀原理是硫脲溶于去离子水发生可逆反应，产生弱的氢硫酸。本质在于ZnO+H+→Zn++H2O，从而实现了自下而上(bottom－up)和自上而下(top－down)相结合来制备ZnO纳米结构。采用上述技术方案制备的ZnO纳米结构的方法具有如下的优点：1.本发明的方法简单，成本低；2.条件温和；3.此法可以制备出直径可控的纳米线和厚度可控的纳米带。4.由于硫脲溶液的腐蚀性较弱，可以与传统的微电子工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种ZnO纳米结构的制备方法，包括以下步骤：A、利用传统的热蒸发法合成ZnO纳米梳及纳米棒；B、利用硫脲溶液刻蚀A步骤得到的ZnO纳米梳及ZnO纳米棒：把硫脲溶于的去离子水中，使硫脲溶液的质量百分比浓度控制在1.0～1.3％，作为备用溶液；把带有A步骤所得ZnO纳米结构的硅片放入备用溶液中，在室温下保持6～16小时以后，取出硅片用去离子水清洗、烘干。
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