[发明专利]一种能量恢复结构的只读存储器存储单元电路有效
| 申请号： | 200610028669.7 | 申请日： | 2006-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1885433A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 何艳;王俊宇;闵昊 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/30 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，具体为一种能量恢复结构的只读存储器(ROM)存储单元电路结构。该电路结构包括：第一，能量恢复结构的预充电电路；第二，存储单元；第三，提供周期性变化电源的功率时钟(PC)。该结构采用绝热电路的原理在功率时钟(周期性变化的电源PC)的控制下以极低的功耗对存储单元电路进行充/放电，实现存储单元数据信息的读取。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能量 恢复 结构 只读存储器 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
1、一种能量恢复结构的只读存储器存储单元电路，其特征在于组成包括：(一)一个能量恢复结构的预充电电路，其电源电压为功率时钟，通过一组单向导通器件对存储单元阵列的各条位线(BL)进行充电；其中单向导通器件的正极接功率时钟(PC)，负极接存储单元阵列的各条位线(BL)；(二)一个存储单元阵列，通过字线(WL)和位线(BL)之间是否存在NMOS管来表示该单元所存储的数据信息；其中NMOS管的栅极(G端)与字线(WL)相连，漏极(D端)与位线相连，源级(S端)与功率时钟(PC)相连；(三)提供周期性变化电源的功率时钟(PC)，该信号既提供电源电压，又控制电路的工作节拍；以上所述的所有PMOS管的衬底与源极(S端)相连，所有的NMOS管的衬底均接地。
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