[发明专利]一种基于复合模板技术的纳米级胶囊材料的制备方法无效
申请号: | 200610028675.2 | 申请日: | 2006-07-06 |
公开(公告)号: | CN1904135A | 公开(公告)日: | 2007-01-31 |
发明(设计)人: | 浦鸿汀;曹晓星;杨正龙 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C16/56;C23C16/52;C23C28/00;C08J5/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20009*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于纳米材料和高分子材料技术领域,具体涉及一种胶囊状纳米级材料的制备方法。本发明先制备一种复合型纳米模板,然后利用此模板对材料进行封装。复合型模板在多孔氧化铝(AAO)模板内利用化学气相沉积聚合(CVDP)的方法将聚对亚苯基二亚甲基(PPX)或其衍生物沉积在AAO的内壁形成。复合模板是一块多孔,中空的AAO/PPX模板,在其中填充其他材料,末端封口,再将AAO刻蚀掉,即可得到类似胶囊状的由PPX包裹的纳米级材料。此种结构的纳米材料可以应用于催化剂的输送、药物的缓释、同轴电缆等研究领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 复合 模板 技术 纳米 胶囊 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种基于复合模板技术的纳米级胶囊材料的制备方法,其特征是先制备一种复合模板,然后利用此模板对纳米材料进行封装,具体步骤如下:(1)采用化学气相沉积聚合方法在多孔氧化铝模板纳米孔径内壁沉积聚对亚苯基二亚甲基或其衍生物超薄涂层,制备得复合型纳米模板,其中,多孔氧化铝模板的孔径≤100nm,聚对亚苯基二亚甲基或其衍生物涂层厚度>10nm;(2)在复合模板的纳米孔中填充其他纳米材料,末端封口,再将多孔氧化铝模板刻蚀掉,即得类似胶囊状的由聚对亚苯基二亚甲基或其衍生物包裹的纳米级材料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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