[发明专利]绝缘体上硅及其制备工艺无效
| 申请号： | 200610028767.0 | 申请日： | 2006-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101101891A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技有限公司;国际O&A半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/762;H01L21/20;H01L21/00;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201821*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种绝缘体上硅的制备工艺，包含如下步骤：在硅片上注入能与硅反应生成腐蚀阻挡材料的离子；将含有注入离子的硅片退火，并形成含有绝缘层、表面硅层、腐蚀阻挡层和衬底硅层的结构，其中绝缘层和衬底硅层位于硅片的外侧，表面硅层与绝缘层相邻，腐蚀阻挡层与衬底硅层相邻；在半导体晶片上形成第二绝缘层；将硅片和半导体晶片键合，其中硅片上的绝缘层和半导体晶片上的第二绝缘层相接触；加固键合后的硅片和半导体晶片；去除衬底硅层；去除腐蚀阻挡层。上述方法生成的绝缘体上硅隐埋绝缘层质量高，绝缘性能好，厚度可随意调节，顶层硅厚度的均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅的制备工艺，其特征在于，包含如下步骤：在硅片上注入能与硅反应生成腐蚀阻挡材料的离子；将含有注入离子的硅片退火，并形成含有绝缘层、表面硅层、腐蚀阻挡层和衬底硅层的结构，其中绝缘层和衬底硅层位于硅片的外侧，表面硅层与绝缘层相邻，腐蚀阻挡层与衬底硅层相邻；在半导体晶片上形成第二绝缘层；将硅片和半导体晶片键合，其中硅片上的绝缘层和半导体晶片上的第二绝缘层相接触；加固键合后的硅片和半导体晶片；去除衬底硅层；去除腐蚀阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
