[发明专利]互补金属氧化物半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610028774.0 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101106107A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 杨勇胜;邢溯;肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互补金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中形成N阱和P阱；在所述半导体衬底上形成氧化层；对所述N阱和P阱进行第一阶段掺杂；对所述N阱和P阱进行第二阶段掺杂；在所述N阱和P阱区域形成栅极、源极和漏极及互连层。本发明方法采用不同能量先后对沟道区域掺杂以改变阈值电压，减少了工艺步骤节省了成本缩短了制造周期。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中形成N阱和P阱；在所述半导体衬底上形成氧化层；对所述N阱和P阱进行第一阶段掺杂；对所述N阱和P阱进行第二阶段掺杂；在所述N阱和P阱区域形成栅极、源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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