[发明专利]形成纳米单晶硅的方法和非挥发性半导体存储器制造方法有效
| 申请号： | 200610028783.X | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101106078A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米单晶硅的形成方法，包括如下工艺步骤：在半导体基体上形成富硅介质薄膜层；将硅离子植入富硅介质薄膜层；对半导体基体进行退火处理，在富硅介质薄膜层中形成纳米单晶硅。所述富硅介质薄膜为富硅氧化物或者富硅氮氧化物，退火温度为700至1000℃。上述方法生成的纳米单晶硅原子的密度在1×1010/cm2至1×1012/cm2之间，并且纳米微粒的数量和晶粒尺寸都可以根据需要进行控制。在700到1000℃的温度范围内进行退火，具有较低的热预算，降低了对能源的消耗和生产成本。本发明还提供了含有纳米单晶硅浮栅的非挥发性半导体存储器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 单晶硅 方法 挥发性 半导体 存储器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种纳米单晶硅的形成方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：在半导体基体上形成富硅介质薄膜层；将硅离子植入富硅介质薄膜层；对半导体基体进行退火处理，在富硅介质薄膜层中形成纳米单晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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