[发明专利]一种烃类裂解装置在线预处理抑制结焦的方法有效
申请号: | 200610028933.7 | 申请日: | 2006-07-14 |
公开(公告)号: | CN1928020A | 公开(公告)日: | 2007-03-14 |
发明(设计)人: | 徐宏;周建新;刘京雷;戚学贵;张莉;侯峰;姜志明 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | C10G9/16 | 分类号: | C10G9/16 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 谈顺法 |
地址: | 200237*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种烃类裂解装置在线抑制结焦的方法。该方法在烃类装置烧焦完毕后,用含有硫、硅和镁的一种或几种化学物质同惰性气体加入到炉管进行预处理,化学物质可以一批或分批加入,预处理温度为400℃~1000℃,预处理时间1~8小时。该技术首先使炉管表面催化剂毒化,然后沉积一层致密的陶瓷涂层。预处理所得涂层致密,表面光滑,且涂层与炉管之间结合紧密,大大减少了烃类裂解装置的结焦,延长了生产周期。该方法具有装置简单、易于实施并可以重复实施的特点,也可以随原料一起加入到裂解炉。经过石脑油裂解试验,与未涂层实验相比结焦降低约68%。 | ||
搜索关键词: | 一种 裂解 装置 在线 预处理 抑制 结焦 方法 | ||
【主权项】:
1、一种烃类裂解装置在线预处理抑制结焦的方法,其特征在于,所述的方法包括如下步骤:1)烃类化合物裂解炉管清焦操作后,在0~3个大气压下,将裂解设备预热至400℃~1000℃温度,将含硫、硅化合物的预处理剂通过载气或原料气加入到烃类裂解炉管,其中硫和硅摩尔比为1∶1~1∶100,然后通入水蒸气,使含硫、硅化合物的预处理剂在载气或原料气和蒸气中的浓度为1-3000ppm,使烃类裂解装置与预处理剂高温气体接触,发生反应,在裂解管内表面沉积出含硫、二氧化硅的混合涂层,涂层处理时间为1-4小时,涂层厚度为2-5μm;2)继续加入含硅的化合物和含镁的化合物,或同时加入含硅镁的化合物,其中镁和硅摩尔比为1∶1~1∶100,处理时间为1~4小时,涂层厚度在2-8μm为宜,硅和镁化合物在载气或原料气和水蒸气中的浓度为1~5000ppm,优选10~2000ppm;其中,含硫、硅的化合物及含硅、镁的化合物分别选自:(1)一种或多种的:含硫、硅的化合物,或含硅和硫的化合物,或含硅化合物、含硫化合物的混合物;(2)一种或多种的:含硅、镁的化合物,或含硅和镁化合物,或含硅化合物、含镁化合物的混合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学,未经华东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610028933.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:内部照明的信箱
- 下一篇:传输流数据的记录和播放控制方法