[发明专利]低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法有效

专利信息
申请号: 200610028945.X 申请日: 2006-07-14
公开(公告)号: CN101106088A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 陈俭 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 顾继光
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法,采用氦、氖以及它们与氩气的组合作为工作气体,物理气相沉积法淀积钴、镍和稀土金属薄膜,然后按照自对准硅化物工艺制备金属硅化物。本发明可以降低现有半导体硅化物制作过程中常见的等离子体损伤,同时兼容现有的工艺,操作简单。
搜索关键词: 等离子体 损伤 硅化物 制备 方法
【主权项】:
1.一种低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法,其特征在于:采用氦、氖以及它们与氩气的组合作为工作气体,物理气相沉积法淀积钴、镍和稀土金属薄膜,然后按照自对准硅化物工艺制备金属硅化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610028945.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code