[发明专利]VN/SiO2纳米多层涂层及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610029134.1 申请日: 2006-07-20
公开(公告)号: CN1888125A 公开(公告)日: 2007-01-03
发明(设计)人: 岳建岭;李戈扬;赵文济;戴嘉维 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/34;C23C14/54
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种VN/SiO2纳米多层涂层及其制备方法,属于陶瓷涂层领域。VN/SiO2高硬度纳米多层涂层由VN层和SiO2层交替沉积在金属、硬质合金或陶瓷基底上形成,VN层的厚度为2~10nm,SiO2层厚为0.3~1.2nm。本发明涂层制备如下:首先将金属或陶瓷基体表面作镜面抛光处理,然后通过在金属或陶瓷的基体上采用双靶射频反应溅射方法交替沉积VN层和SiO2层,制取VN/SiO2纳米多层涂层,其中VN采用V靶通过与N2反应溅射得到,而SiO2采用直接溅射SiO2化合物靶材提供。本发明所得的VN/SiO2纳米多层涂层不但具有优良的高温抗氧化性,而且具有高于30GPa的硬度。本发明作为高速切削刀具及其它在高温条件下服役耐磨工件的涂层。
搜索关键词: vn sio sub 纳米 多层 涂层 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种VN/SiO2纳米多层涂层,其特征在于,由VN和SiO2形成在金属或陶瓷的基体上,VN层的厚度为2~10nm,SiO2层的厚度为0.3~1.2nm,纳米多层涂层的总厚度为2-6μm。
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