[发明专利]硅基多层螺旋差分电感无效

专利信息
申请号: 200610029137.5 申请日: 2006-07-20
公开(公告)号: CN1889265A 公开(公告)日: 2007-01-03
发明(设计)人: 林良;王玉洋;毛军发;尹文言 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00;H01F17/00
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种微电子技术领域的硅基多层螺旋差分电感。本发明包括:衬底、六层二氧化硅层、六层金属螺旋线圈、连接通孔、金属导体和端口,第一层二氧化硅层设置在硅衬底上,六层金属螺旋线圈分别对应设置在六层二氧化硅层上,端口与第六层金属螺旋圈处在一个平面上,它与第一层金属螺旋线圈的导体两侧分别相连,不同层的金属螺旋线圈通过连接通孔连接后再与金属导体相连。本发明结构简单,易于实现,能够使寄生电容降到最低,从而获得较高的自谐振频率和较高的品质因数。本发明的最佳连接方式极大地减小了电场储能引起的寄生电容,从而可以很大程度上提高微电感的高频性能,具有广泛的用途。
搜索关键词: 基多 螺旋 电感
【主权项】:
1、一种硅基多层螺旋差分电感,包括:衬底(1),六层二氧化硅层(2、13、14、15、16、17),六层金属螺旋线圈(3、4、5、6、7、8),连接通孔(9),金属导体(12)和端口(10),其特征在于:第一层二氧化硅层(2)设置在硅衬底(1)上,第一层金属螺旋线圈(3)位于第一层二氧化硅层(2)平面上,第二层金属螺旋线圈(4)位于第二层二氧化硅层(13)平面上,第三层金属螺旋线圈(5)位于第三层二氧化硅层(14)平面上,第四层金属螺旋线圈(6)位于第四层二氧化硅层(15)平面上,第五层金属螺旋线圈(7)位于第五层二氧化硅层(16)平面上,顶层第六层金属螺旋线圈(8)位于第六层二氧化硅层(17)平面上,端口(10)与第六层金属螺旋圈(8)处在一个平面上,它与第一层金属螺旋线圈(3)的导体两侧分别相连,六层金属螺旋线圈(3、4、5、6、7、8)通过连接通孔(9)连接后再与金属导体(12)相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610029137.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top