[发明专利]硅基多层螺旋差分电感无效
申请号: | 200610029137.5 | 申请日: | 2006-07-20 |
公开(公告)号: | CN1889265A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
发明(设计)人: | 林良;王玉洋;毛军发;尹文言 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01F17/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种微电子技术领域的硅基多层螺旋差分电感。本发明包括:衬底、六层二氧化硅层、六层金属螺旋线圈、连接通孔、金属导体和端口,第一层二氧化硅层设置在硅衬底上,六层金属螺旋线圈分别对应设置在六层二氧化硅层上,端口与第六层金属螺旋圈处在一个平面上,它与第一层金属螺旋线圈的导体两侧分别相连,不同层的金属螺旋线圈通过连接通孔连接后再与金属导体相连。本发明结构简单,易于实现,能够使寄生电容降到最低,从而获得较高的自谐振频率和较高的品质因数。本发明的最佳连接方式极大地减小了电场储能引起的寄生电容,从而可以很大程度上提高微电感的高频性能,具有广泛的用途。 | ||
搜索关键词: | 基多 螺旋 电感 | ||
【主权项】:
1、一种硅基多层螺旋差分电感,包括:衬底(1),六层二氧化硅层(2、13、14、15、16、17),六层金属螺旋线圈(3、4、5、6、7、8),连接通孔(9),金属导体(12)和端口(10),其特征在于:第一层二氧化硅层(2)设置在硅衬底(1)上,第一层金属螺旋线圈(3)位于第一层二氧化硅层(2)平面上,第二层金属螺旋线圈(4)位于第二层二氧化硅层(13)平面上,第三层金属螺旋线圈(5)位于第三层二氧化硅层(14)平面上,第四层金属螺旋线圈(6)位于第四层二氧化硅层(15)平面上,第五层金属螺旋线圈(7)位于第五层二氧化硅层(16)平面上,顶层第六层金属螺旋线圈(8)位于第六层二氧化硅层(17)平面上,端口(10)与第六层金属螺旋圈(8)处在一个平面上,它与第一层金属螺旋线圈(3)的导体两侧分别相连,六层金属螺旋线圈(3、4、5、6、7、8)通过连接通孔(9)连接后再与金属导体(12)相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的