[发明专利]硅片外延线性缺陷的测定方法有效
| 申请号： | 200610029246.7 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101110379A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 王剑敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片外延线性缺陷的测定方法，包括如下步骤：在硅片外延薄膜生长前，选取多点测量外延薄膜成膜前衬底的曲率半径；在外延生长完成后，测量外延膜厚；测量外延薄膜成膜后衬底的曲率半径；根据前述外延薄膜成膜前衬底的曲率半径、外延膜厚和外延薄膜成膜后衬底的曲率半径，计算硅片外延部分的应力；根据硅片外延部分的应力变化判定是否存在线性缺陷。本发明通过对硅片外延生长后应力的测量来判定硅片是否存在线性缺陷，可使用半导体工厂常用的应力仪完成，便捷而准确。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 外延 线性 缺陷 测定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片外延线性缺陷的测定方法，用以测定硅片与缺角水平或垂直处所产生的线性缺陷，其特征是，包括如下步骤：步骤一，在硅片外延薄膜生长前，选取多点测量外延薄膜成膜前衬底的曲率半径；步骤二，在外延生长完成后，测量外延膜厚；步骤三，测量外延薄膜成膜后衬底的曲率半径；步骤四，根据前述外延薄膜成膜前衬底的曲率半径、外延膜厚和外延薄膜成膜后衬底的曲率半径，计算硅片外延部分的应力；步骤五，根据硅片外延部分的应力变化判定是否存在线性缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
