[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造工艺方法无效
| 申请号： | 200610029338.5 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101114659A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李文强;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/532;H01L29/43;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器中的多晶硅上局部或整体覆盖金属，形成多晶硅加金属层结构。本发明还公开了该CMOS图像传感器的制造工艺方法。本发明能减小CMOS图像传感器芯片中多晶硅的电阻，从而显著改善CMOS图像传感器的性能，并能降低制造工艺的复杂度和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 及其 制造 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，该CMOS图像传感器中的多晶硅上有金属层，形成多晶硅加金属层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
