[发明专利]金属刻蚀缺陷侦测装置及其侦测方法无效
| 申请号： | 200610029464.0 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101114602A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 宓守刚;罗来青 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/308;G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属刻蚀缺陷侦测装置及其侦测方法，它整合了光谱装置、记录装置及处理装置，兼具侦测、记录、运算能力的装置；本发明金属刻蚀缺陷侦测方法，其撷取金属刻蚀缺陷结构的光激发光谱信息，并将光谱信息予以储存，最后运算光谱信息输出可供分析的图表，当中可适当引入磁场周期参数，可整合应用于强化光激发光谱的分析技术，达到快速测定金属刻蚀缺陷，并可与磁场周期同步。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 刻蚀 缺陷 侦测 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属刻蚀缺陷侦测装置，该侦测装置可应用于腔室刻蚀工艺，其特征在于包括：一光譜裝置，用于测量并分类一光激发光谱的特性波长、能量大小及能量级；一记录装置，其连结于该光谱装置，用于记录该光谱装置输出的数据；以及一处理装置，其连结于该记录装置，用于处理并运算该记录装置记录的数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
