[发明专利]掺钒钇铝石榴石晶体的生长方法无效
申请号: | 200610029502.2 | 申请日: | 2006-07-28 |
公开(公告)号: | CN1912195A | 公开(公告)日: | 2007-02-14 |
发明(设计)人: | 苏良碧;李红军;张丹;徐军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | C30B29/28 | 分类号: | C30B29/28 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种掺钒钇铝石榴石晶体的生长方法,采用传统的提拉法、坩埚下降法或温度梯度法生长V:YAG晶体,其特征是加热方式采用石墨发热体,或炉膛内充入CO或H2还原性气体,或原料配比中加入高价态的Si4+或Zr4+离子。本发明方法提高了晶体中产生1.0~1.5μm可饱和吸收带的四面体格位V3+离子占所有V离子的比例。 | ||
搜索关键词: | 掺钒钇铝 石榴石 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】:
1、一种掺钒钇铝石榴石晶体的生长方法,采用传统的提拉法、坩埚下降法或温度梯度法生长V:YAG晶体,其特征是V:YAG晶体生长过程中的加热方式采用石墨发热体,或炉膛内充入CO或H2还原性气体,或原料配比中加入高价态的Si4+或Zr4+ 离子。
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