[发明专利]掺钒钇铝石榴石晶体的生长方法无效

专利信息
申请号: 200610029502.2 申请日: 2006-07-28
公开(公告)号: CN1912195A 公开(公告)日: 2007-02-14
发明(设计)人: 苏良碧;李红军;张丹;徐军 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张泽纯
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种掺钒钇铝石榴石晶体的生长方法,采用传统的提拉法、坩埚下降法或温度梯度法生长V:YAG晶体,其特征是加热方式采用石墨发热体,或炉膛内充入CO或H2还原性气体,或原料配比中加入高价态的Si4+或Zr4+离子。本发明方法提高了晶体中产生1.0~1.5μm可饱和吸收带的四面体格位V3+离子占所有V离子的比例。
搜索关键词: 掺钒钇铝 石榴石 晶体 生长 方法
【主权项】:
1、一种掺钒钇铝石榴石晶体的生长方法,采用传统的提拉法、坩埚下降法或温度梯度法生长V:YAG晶体,其特征是V:YAG晶体生长过程中的加热方式采用石墨发热体,或炉膛内充入CO或H2还原性气体,或原料配比中加入高价态的Si4+或Zr4+ 离子。
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