[发明专利]基于中心抽头电感开关的射频双频段压控振荡器无效

专利信息
申请号: 200610029645.3 申请日: 2006-08-01
公开(公告)号: CN1889365A 公开(公告)日: 2007-01-03
发明(设计)人: 李勇;景一欧;赖宗声;沈怿皓 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 代理人: 程宗德;石昭
地址: 200062*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种基于中心抽头电感开关的射频双频段压控振荡器,属于集成电路设计及信号处理的技术领域。IEEE802.11是现今世界上使用最广泛的无线局域网协议之一。基于该协议无线路由器的射频前端需要利用锁相环来产生工作于2.4G频段和5G频段的本振信号。背景技术采用的电感开关双频段压控振荡器需用4个电感,其缺点是在芯片上集成4个片上电感需要占用较大的芯片面积。本发明的压控振荡器采用一个中心抽头电感代替背景技术的4个电感中的两个,其优点是在芯片上集成中心抽头电感所占用的芯片面积比其代替的两个电感所占用的芯片面积小得多,特别适于在无线路由器的射频前端的芯片中作射频双频段压控振荡器。
搜索关键词: 基于 中心 抽头 电感 开关 射频 双频 压控振荡器
【主权项】:
1、一种基于中心抽头电感开关的射频双频段电感电容压控振荡器,含负阻电路、谐振电路、偏置电路和七个引线端,负阻电路由第一MOS管(M1)和第MOS管(M2)组成,第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)是PMOS管,谐振电路含第一变容二极管(C1)、第二变容二极管(C2)、第一电感(L1)、第二电感(L2),第一变容二极管(C1)和第二变容二极管(C2)是片上集成的、工作在积累区-耗尽区的NMOS管,第一电感(L1)和第二电感(L2)是非对称片上集成电感,偏置电路是由第五MOS管(M5)组成偏置恒流源,第五MOS管(M5)是PMOS管,七个引线端是Vcc端、Vbias端、Vout+端、Vout-端、Ctrl端、SW端和地线,Vcc端和地线分别是电压源+端和电压源-端的输入端,Vbias端是偏置电压的输入端,Ctrl端是控制电压的输入端,SW端是频段切换电压输入端,Vout+端和Vout-端分别是射频信号的正相和反相输出端,第一MOS管(M1)的源极与第二MOS管(M2)的源极连接,第一MOS管(M1)的栅极与第MOS管(M2)的漏极连接,第MOS管(M2)的栅极与第一MOS管(M1)的漏极连接,第一变容二极管(C1)和第二变容二极管(C2)串联后跨接在第一MOS管(M1)的漏极和第二MOS管(M2)的漏极之间,第一变容二极管(C1)和第二变容二极管(C2)的连接点与Ctrl端连接,第一MOS管(M1)的漏极和第二MOS管(M2)的漏极分别与Vout+端和Vout-端连接,第一电感(L1)的一端与第一MOS管(M1)的漏极连接,第二电感(L2)的一端与第二MOS管(M2)的漏极连接,其特征在于,它还含谐振器开关电路和第三电感(L3),谐振器开关电路由第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)组成,第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)是NMOS管,第三电感(L3)是含中心抽头的对称型的片上集成电感,第三电感(L3)的两个端头分别与第一电感(L1)和第二电感(L2)的另一端连接,第三电感(L3)的中心抽头与地线连接,第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)的源极连接后与地线连接,第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)的漏极分别与第一电感(L1)和第二电感(L2)的另一端连接,第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)的栅极连接后与SW端连接,第五MOS管(M5)的漏极、栅极和源极分别与第一MOS管(M1)的源极、Vbias端和Vcc端连接。
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