[发明专利]光刻机离轴水平和对焦探测控制系统及其实现方法有效

专利信息
申请号: 200610029774.2 申请日: 2006-08-07
公开(公告)号: CN101122748A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 伍强;王雷 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 丁纪铁
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种光刻机离轴水平和对焦探测控制系统,该系统包括一组共焦光学探测器阵列、一个数据处理器和一个硅片平台控制器,根据共焦光学探测器阵列的每一个探测器中反射光的相对强度来判定在该探测器位置的硅片平面是否在最佳焦距,在曝光时根据数据处理器收集到的数据对硅片平台控制器发出指令,以补偿差值,测量并反馈曝光区域硅片表面水平度的分布。本发明还公开了上述系统的实现方法。本发明能够可靠地探测到硅片上表面,以减小水平探测对硅片制造焦距的偏离。
搜索关键词: 光刻 机离轴 水平 对焦 探测 控制系统 及其 实现 方法
【主权项】:
1.一种光刻机离轴水平和对焦探测控制系统,其特征在于,该系统包括:一组共焦光学探测器阵列,用于收集光强分布数据;一个数据处理器,通过数据线与共焦光学探测器阵列相连接,用于接收共焦光学探测器阵列收集的光强分布数据并对该数据进行处理;一个硅片平台控制器,通过数据线与数据处理器相连接;根据共焦光学探测器阵列的每一个探测器中反射光的相对强度来判定在该探测器位置的硅片平面是否在最佳焦距,在曝光时根据数据处理器收集到的数据对硅片平台控制器发出指令,以补偿差值,测量并反馈曝光区域硅片表面水平度的分布。
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