[发明专利]光刻抬离成形法无效
| 申请号： | 200610029808.8 | 申请日： | 2006-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101122738A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘红君;肖田;陈涛;张弈 | 申请（专利权）人： | 上海广电电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200060*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光刻抬离成形法，涉及薄膜成形的技术领域；此方法为湿刻，通过光刻胶成形后在其上蒸镀金属或其它薄膜，然后使光刻胶脱膜以达到抬离光刻胶上的薄膜，使其成形的方法；具体制作步骤为：1)基片准备；2)涂布光刻胶，光刻胶溶剂为纯有机溶液的负感光型光刻胶，光刻胶的厚度在1到7微米；3)前烘；4)曝光；5)坚膜；6)显影，显影液为纯有机溶液；7)漂洗，漂洗液为纯有机溶液；8)吹干；9)表面清洁处理；10)镀膜；11)抬离，对膜抬离成形，有光刻胶的部分，膜随着光刻胶一起脱离，其他部分的膜则保留下来，形成所需要的图形。本发明为一种成本低廉，工艺简单且对高精度线条或图形的成形行之有效的成形法。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 成形 | ||
【主权项】：
1.一种光刻抬离成形法，所述方法为湿刻法，其特征在于，具体制作步骤为：1)基片准备；2)涂布光刻胶，光刻胶溶剂为纯有机溶液的负感光型光刻胶，光刻胶的厚度在1到7微米；3)前烘；4)曝光；5)坚膜(后烘)；6)显影，显影液为纯有机溶液，显影时间随光刻胶厚度调节为60s~180s；7)漂洗，漂洗液为纯有机溶液，反复冲洗一遍以上；8)吹干，用压缩干燥气吹干，使基片上形成光刻胶图形；9)表面清洁处理10)镀膜；11)抬离，对膜抬离成形，有光刻胶的部分，膜随着光刻胶一起脱离，其他部分的膜则保留下来，使图形基本成形。
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