[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 200610029904.2 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123204A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘明源;吴汉明;郭佳衢;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在半导体器件中形成浅沟槽隔离的方法，包括：在半导体衬底上形成掩膜层；图案化所述掩膜层以露出对应沟槽位置的半导体衬底；刻蚀所述衬底形成沟槽并在沟槽中形成衬垫氧化层；在所述沟槽中轮流淀积第一绝缘介质和第二绝缘介质直至填满所述沟槽；对所述半导体衬底进行快速热退火处理；平坦化所述绝缘介质以形成浅沟槽隔离结构。本发明的浅沟槽隔离结构包括半导体衬底和衬底中形成的沟槽，沟槽中填充有绝缘介质，所述绝缘介质包括第一绝缘介质和第二绝缘介质，第一绝缘介质和第二绝缘介质彼此堆叠形成堆栈结构。本发明能够有效地控制浅沟槽隔离结构的应力，从而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟槽 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件中形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：在半导体衬底上形成掩膜层；图案化所述掩膜层以露出对应沟槽位置的半导体衬底；刻蚀所述衬底形成沟槽并在沟槽中形成衬垫氧化层；在所述沟槽中轮流淀积第一绝缘介质和第二绝缘介质直至填满所述沟槽；对所述半导体衬底进行快速热退火处理；平坦化所述绝缘介质以形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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