[发明专利]栅极结构的制造方法有效
| 申请号： | 200610029922.0 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123185A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;吴金刚;高大为;高关且 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种栅极结构的制造方法，包括：在半导体衬底上顺次沉积介质层、导电层、阻挡层及图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀阻挡层；移除图案化的光致抗蚀剂层；将上述步骤与后续刻蚀步骤间的时间间隔控制在4小时以内；刻蚀导电层及介质层。通过缩短移除图案化的抗蚀剂层与后续刻蚀步骤间的时间间隔，减小了在具有开口区的阻挡层根部形成金属层材料氧化物的可能性，即控制了阻挡层根部缺陷的产生，进而抑制了栅极根部缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极结构的制造方法，将半导体衬底置于第一反应区，并在半导体衬底上顺次沉积介质层、导电层、阻挡层及图案化的光致抗蚀剂层；然后将所述半导体衬底移动至第二反应区，以所述光致抗蚀剂层作为掩膜刻蚀所述阻挡层；随后将所述半导体衬底移动至第三反应区，移除所述光致抗蚀剂层；最后将所述半导体衬底移动至第四反应区，刻蚀所述导电层及介质层，其特征在于：将所述半导体衬底从第二反应区移动至第四反应区所需时间小于4小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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