[发明专利]进行RTA控温测量的方法及其所用的测控晶片有效
| 申请号： | 200610029992.6 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101123170A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 许世勋;朱琳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种进行RTA控温测量的方法，该方法包括步骤：制备两种测控晶片，一种为低辐射率测控晶片，另一种为高辐射率测控晶片；同时应用低辐射率测控晶片和高辐射率测控晶片对RTA设备进行测量。本发明还公开了一种上述方法中用的测控晶片，它通过改变晶片背面材质而形成。本发明的方法可兼顾辐射率低/高两端，更容易发现RTA设备辐射率测算出现的问题，能更好地维护设备的稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 rta 测量 方法 及其 所用 测控 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种进行RTA控温测量的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备两种测控晶片，一种为低辐射率测控晶片，另一种为高辐射率测控晶片；(2)同时应用步骤(1)的低辐射率测控晶片和高辐射率测控晶片对RTA设备进行测量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
