[发明专利]超临界二氧化碳技术制备含硅聚丙烯纳米发泡材料的方法有效
| 申请号： | 200610030070.7 | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1908053A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 许志美;黄艳菲;赵玲;刘涛;朱中南;袁渭康 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C08L23/12 | 分类号： | C08L23/12;C08L83/04;C08J9/04;B29B7/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 罗大忱 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超临界二氧化碳技术制备含硅聚丙烯纳米发泡材料的方法，包括如下步骤：将聚丙烯、聚硅氧烷和相容剂的共混物置于超临界状态的CO2流体中，进行溶胀和渗透0.5～1小时，然后快速卸压至常压，并冷却至5～30℃，即可得到含硅聚丙烯纳米发泡材料。本发明通过共混改性手段提高待发泡聚丙烯的性能，利用超临界CO2技术制备发泡聚丙烯，从而改变聚丙烯发泡材料的孔结构，得到细微均匀的纳米多孔结构的聚丙烯发泡材料。采用本发明的方法，以通用型等规均聚聚丙烯为原料，通过共混改性提高待发泡聚丙烯的性能，并利用超临界CO2技术制备发泡聚丙烯，获得结构可控的含硅聚丙烯纳米发泡材料。 | ||
| 搜索关键词： | 临界 二氧化碳 技术 制备 聚丙烯 纳米 发泡 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超临界二氧化碳技术制备含硅聚丙烯纳米发泡材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：将聚丙烯、聚硅氧烷和相容剂的共混物置于超临界状态的CO2流体中，进行溶胀和渗透0.5～1小时，然后快速卸压至常压，并冷却至5～30℃，即可得到含硅聚丙烯纳米发泡材料，所说的相容剂是一种含羧基的聚合物。
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