[发明专利]沟槽型MOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200610030348.0 | 申请日： | 2006-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101131933A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 张朝阳;姜宁;李建文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管的制造方法，旨在降低栅极和漏极间的电容，提高晶体管的开关速率。该方法包括以下步骤：通过干法刻蚀形成深沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁上进行一层牺牲氧化膜的生长；在所述沟槽的底部和侧壁的位置，使用用高密度等离子沉积技术，再生长一层高密度等离子体氧化膜；使用药液去除所述沟槽侧壁上的氧化膜，该被去除的氧化膜包括牺牲氧化膜和高密度等离子体氧化膜；在所述沟槽的底部和侧壁的位置，再进行一层栅极氧化膜的生长；在沟槽内进行栅极多晶硅的生长及回刻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型MOS晶体管的制造方法，包括以下步骤：(1)通过干法刻蚀形成深沟槽；(2)在所述沟槽的底部和侧壁上进行一层牺牲氧化膜的生长；(3)在所述沟槽的底部和侧壁的位置再进行一层栅极氧化膜的生长；(4)在沟槽内进行栅极多晶硅的生长及回刻；其特征在于，在所述步骤(2)和步骤(3)之间还包括以下步骤：在所述沟槽的底部和侧壁的位置，使用高密度等离子沉积技术，再生长一层高密度等离子体氧化膜；使用药液去除所述沟槽侧壁上的氧化膜，该被去除的氧化膜包括牺牲氧化膜和高密度等离子体氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
