[发明专利]金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置无效
| 申请号： | 200610030551.8 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1915595A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;宋志棠;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B24B57/00 | 分类号： | B24B57/00;C25C1/00;B24B53/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光(CMP)的抛光液原位批处理方法及所使用的装置。创新点在于利用电化学工作原理，将抛光产生的金属离子还原转移达到去除的目的，同时恢复抛光液中氧化剂的功能。所述的装置是在传统的单头或多头抛光系统中，增加抛光液原位批处理系统和抛光盘的在线修复，使抛光速率和抛光过程均匀性信息在线检测，将现有抛光工序和抛光液原处理工序集为一体。与现有抛光液一次性消耗工艺相比，不仅可以减少抛光液的消耗，而且可以减少抛光液后处理所带来的不便，是解决集成电路化学机械抛光工艺高成本的一种有效方法和设备。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 化学 机械抛光 抛光 原位 批处理 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光的抛光液原位批处理的方法，其特征在于所述的批处理方法的步骤是：(1)将化学机械抛光过程产生的含有被抛光材料金属离子的抛光液用电化学处理工艺将金属离子转化为金属并沉积在阴极上，以去除抛光液中的金属离子；(2)通过下述两种方法中任意一种在步骤(1)的可溶性金属离子去除同时，实现抛光液氧化能力的恢复，所述的两种方法分别是电化学处理方法，使电路的阴极发生氧化反应，抛光液的氧化能力得到还原；或是向抛光液中补充氧化剂，所述的氧化剂为无金属离子的过氧化氢、过氧化氢脲或过硫酸铵。
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