[发明专利]集成肖特基二极管的沟槽型MOS的制作方法无效
| 申请号： | 200610030559.4 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136368A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张朝阳;姜宁;陶海燕 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成肖特基二极管的沟槽型MOS的制作方法，在版图设计时，在沟槽型MOS芯片的一边预留肖特基二极管占用区域，在接触孔形成前所有工序都将肖特基二极管占用区域打开至硅平面，并按以下步骤操作：步骤一，在做接触孔时将肖特基二极管占用区域部分打开，肖特基二极管占用区域留下层间膜柱子；步骤二，接触孔注入；步骤三，接触孔的注入激活；步骤四，肖特基区光刻；步骤五，将肖特基区的层间膜去除；步骤六，金属层形成。本发明在制造深沟槽MOS器件的同时在器件的一边形成多个并联的肖特基二极管，从而在器件级实现在沟槽MOS器件中集成肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 肖特基 二极管 沟槽 mos 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成肖特基二极管的沟槽型MOS的制作方法，其特征是，在版图设计时，在沟槽型MOS芯片的一边预留肖特基二极管占用区域，在接触孔形成前所有工序都将肖特基二极管占用区域打开至硅平面，并按以下步骤操作：步骤一，在做接触孔时将肖特基二极管占用区域部分打开，肖特基二极管占用区域留下层间膜柱子；步骤二，接触孔注入；步骤三，接触孔的注入激活；步骤四，肖特基区光刻；步骤五，将肖特基区的层间膜去除；步骤六，金属层形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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