[发明专利]铜互连的半导体器件的制造方法及其结构有效
| 申请号： | 200610030628.1 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101136356A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;王晓艳;刘艳吉;汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜互连的半导体器件的制造方法，包括提供带有介质隔离层和铜布线层的半导体衬底，铜布线层镶嵌于介质隔离层中；在铜布线层和介质隔离层表面形成扩散阻挡层，扩散阻挡层为面心立方结构的氮化钽材料；在扩散阻挡层上形成铝垫层。相应地，本发明提供一种基于上述方法形成的结构。本发明通过改变沉积扩散阻挡层的工艺及其形成的结构，把TaN薄膜的晶体结构由体心立方结构改变为面心立方结构，覆盖在Cu布线层上更为致密，尤其对于金属台阶部分的“弱区”，更好地阻挡了铜向Al垫层扩散和电迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 半导体器件 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种铜互连的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供带有介质隔离层和铜布线层的半导体衬底，所述铜布线层镶嵌于介质隔离层中；在所述的铜布线层和介质隔离层表面形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成铝垫层，其特征在于，所述的扩散阻挡层为面心立方结构的氮化钽材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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