[发明专利]一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法有效
| 申请号： | 200610030766.X | 申请日： | 2006-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1912646A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 吴亚明;刘玉菲;李四华;万助军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G01R33/032;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。其制作方法特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合，包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤，所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁场，灵敏度达0.6dB/μT。有利于批量生产和器件成本的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 微型 灵敏度 磁场 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器，其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成；金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙；通过调节架，利用光学封装树脂，完成与双光纤准直器的封接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610030766.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热压机
- 下一篇：散热型球格阵列封装结构
