[发明专利]通孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 200610030796.0 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140882A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层及图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀抗反射涂层；刻蚀介质层；移除光致抗蚀剂层；进行刻蚀终止层的刻蚀；所述介质层的刻蚀过程包括第一刻蚀过程和第二刻蚀过程；分别选用第一刻蚀气体和第二刻蚀气体进行所述第一刻蚀过程和第二刻蚀过程。采用本发明方法，可提高光致抗蚀剂层的致密度，进而有效地控制刻蚀通孔的形貌；并可进一步调整横向、纵向的刻蚀选择比，精确控制刻蚀通孔的形状，以避免损伤栅极侧墙，保证器件可正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层及图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀介质层；移除光致抗蚀剂层；进行刻蚀终止层的刻蚀；其特征在于：所述介质层的刻蚀过程包括第一刻蚀过程和第二刻蚀过程；分别选用第一刻蚀气体和第二刻蚀气体进行所述第一刻蚀过程和第二刻蚀过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
