[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法有效
| 申请号： | 200610030812.6 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140895A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘明源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供一半导体衬底，刻蚀所述衬底形成沟槽；在沟槽中填充绝缘物质并平坦化所述沟槽；在所述衬底表面形成衬垫阻挡层；在所述衬垫阻挡层和沟槽表面形成单层或多层应力薄膜层；对所述衬底进行热退火；剥除所述应力薄膜层。本发明能够有效地控制浅沟槽隔离结构和衬底表面的应力，从而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供一半导体衬底，刻蚀所述衬底形成沟槽；在沟槽中填充绝缘物质并平坦化所述沟槽；在所述衬底表面形成衬垫阻挡层；在所述衬垫阻挡层和沟槽表面形成单层应力薄膜层；对所述衬底进行热退火；剥除所述应力薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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