[发明专利]制作半导体浅槽和深槽的方法无效
| 申请号： | 200610030966.5 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101140896A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李永海;周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体深槽和浅槽的方法，该方法先做深槽，在填充物填到深槽大半后，再做浅槽，同时用高致密氧化物填满深槽和浅槽，这样一方面用STI(浅槽隔离)工艺完成深槽顶部填充，可以减少深槽隔离面积，另一方面由于降低光刻套刻精度要求，同时填充深槽和浅槽，也简化了工艺难度和复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体浅槽和深槽的方法，其特征在于，依次包括如下步骤：(1)在硅基体上淀积硬掩膜；(2)涂光刻胶，光刻形成深槽刻蚀图形；刻蚀深槽，去除光刻胶，热氧化，在深槽侧壁和底部形成侧壁氧化层；(3)在深槽中填充未掺杂多晶硅，反刻，去除其他区域的多晶硅；(4)涂光刻胶，光刻胶覆盖深槽，光刻形成浅槽刻蚀图形；(5)刻蚀浅槽，去除光刻胶，热氧化，在浅槽侧壁和底部以及深槽中填充的多晶硅的上侧形成侧壁氧化层；(6)用高致密度氧化硅填充深槽和浅槽，反刻，CMP平坦化；(7)去除硬掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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