[发明专利]甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法，所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。置于光敏元列阵上的抗反膜是0.8－1.5微米厚的ZnS材料，置在信号引出电极区和公共电极区上的抗反膜是厚度在150～200的铟膜。所述制备方法的特征在于：在抗反膜铟膜形成后再对其进行氧等离子再处理，使铟膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的铟更为暗淡，反射系数达到此材料的低极限水平。本发明的优点是能最大限度接收入射光的信号，提高了器件的光电效率。本发明特别适合大面积电极区的器件，如带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器。

主权项

1.一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜，所述的甚长波碲镉汞光电导红外焦平面探测器，包括：衬底(1)，通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片(2)，通过常规的半导体器件集成工艺，在碲镉汞薄片上形成的光敏元列阵(3)及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区(4)和公共电极区(5)；所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。