[发明专利]抗再结晶Al－Zn－Mg－(Cu)合金无效
| 申请号： | 200610031119.0 | 申请日： | 2006-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN100999795A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈康华;黄兰萍;方华婵;张茁 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C22C21/00 | 分类号： | C22C21/00 |
| 代理公司： | 中南大学专利中心 | 代理人： | 龚灿凡 |
| 地址： | 410083*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 抗再结晶Al－Zn－Mg－(Cu)合金，本发明在添加Zr的同时，添加原子半径大于Zr的稀土元素；或在添加Zr的同时，添加原子半径小于Zr的过渡族元素和原子半径大于Zr的稀土元素。本发明在复合添加上述元素后，在Al－Zn－Mg－(Cu)合金中形成的多元金属间化合物能显著抑制Al－Zn－Mg－(Cu)合金的再结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 再结晶 al zn mg cu 合金 | ||
【主权项】：
1.抗再结晶Al-Zn-Mg-(Cu)合金，包括Al、Zn、Mg、Cu，其特征在于：还包括Zr和稀土元素，或Zr和原子半径小于Zr的过渡族元素及原子半径大于Zr的稀土元素；所述稀土元素为Er或Yb或Tm或Lu，所述原子半径小于Zr的过渡族元素为Ti或Cr或Mn，所述原子半径大于Zr的稀土元素为Er或Yb或Tm或Lu；所述Zr和稀土元素，或Zr和原子半径小于Zr的过渡族元素及原子半径大于Zr的稀土元素的添加总含量为：占合金质量的百分比为0.1-1.2。
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