[发明专利]Cu－W薄膜涂层集成复合热沉无效
| 申请号： | 200610031439.6 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1845317A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 周灵平;彭坤;李德意;李绍禄;门海泉 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01S5/024;H05K7/20 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 4100*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种Cu－W薄膜涂层集成复合热沉，包括无氧铜基体1，其上沉积有一层Cu－W合金薄膜2。所述Cu－W合金薄膜2的厚度为8μm－15μm，薄膜成份为Cu含量8.1％wt～17.5％wt，其余为W。本发明产品具有热膨胀与半导体芯片匹配、热导率高等优良特性，可以避免无氧铜产生热膨胀时直接拉伤半导体芯片，同时防止半导体激光器工作时因热量积聚烧坏芯片，能满足大功率半导体激光器封装的需要，大大提高了半导体激光器寿命。 | ||
| 搜索关键词： | cu 薄膜 涂层 集成 复合 | ||
【主权项】：
1、一种Cu-W薄膜涂层集成复合热沉，包括无氧铜基体1，其技术特征是，在该无氧铜基体1上沉积一层Cu-W合金薄膜2。
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