[发明专利]一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法有效
| 申请号： | 200610031478.6 | 申请日： | 2006-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1873918A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 张明;蒋谊;戴小平;李继鲁;陈芳林 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/332 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412007*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法，采用离子注入扩散技术，在门极可关断晶闸管(GTO)制作中芯片阴极面的杂质分布中，要求交界(标20um处)的PN结电压设计值VGK精确到20～21V，据此可计算交界处的杂质浓度的V/I值应控制在10～11，其均匀度为±5％。p型杂质采用硼、铝双杂质分布，铝决定了总的结深，硼决定了硅片表面及次表面处的浓度及均匀度。靠外面为高浓度N型磷杂质，采用离子注入扩散法将掺杂原子电离化后，用电子枪将其高速打到硅片上，先将硼离子注入扩散，然后再将铝离子注入扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 门极可关断 晶闸管 离子 注入 扩散 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法，其特征在于：在门极可关断晶闸管(GTO)制作芯片阴极面的杂质分布时，采用离子注入扩散技术，运用离子注入扩散法将掺杂原子电离化后，用电子枪将其高速打到硅片上，先将硼离子注入扩散，然后再将铝离子注入扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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