[发明专利]ITO纳米线及其气体传感器的制备方法无效
申请号: | 200610031534.6 | 申请日: | 2006-04-21 |
公开(公告)号: | CN1847837A | 公开(公告)日: | 2006-10-18 |
发明(设计)人: | 王太宏;薛欣宇;陈玉金;聂棱;王岩国;万青;邹炳锁;许春梅;张杰 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12;G01N27/407 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 马强 |
地址: | 4100*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备ITO纳米线及其气体传感器的方法。纳米线的制备方法是:在衬底上沉积一层金膜;将氧化铟、氧化亚锡和石墨的粉末按比例混合后放入舟中,衬底放在舟上并一同加热、保温;加热炉内石英管中的气压保持在约300帕,并通入含有少量氧气的混合气体;炉冷却到室温后,微黄色产物在衬底上生成。传感器制备方法是:将纳米线用超声波分散到溶液中约2小时,烘干,所成浆料涂覆在有两个电极的陶瓷管上,浆料需覆盖在电极上,烘干或烧结,连接引线。这种ITO纳米线制备方法的优点在于简单、可控,成本低,材料有很好的气敏特性;气体传感器的优点有响应时间快、恢复时间短,性能稳定,噪声低,灵敏度高,适合于规模化的工业生产。 | ||
搜索关键词: | ito 纳米 及其 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种ITO纳米线的制备方法,其特征是,该方法为:(1)将1纳米-1微米厚的金膜沉积在基片衬底上;(2)氧化铟、氧化亚锡和石墨的粉末以质量比为1∶3.8-4.2∶0.8-1.2充分混合后,将混合粉末放入一个矾土舟中,基片衬底放在矾土舟上;(3)将矾土舟放入石英管中,再将石英管放入管式炉中,然后将管式炉加热到600℃-1200℃,保持1分钟-10小时;(4)在管式炉冷却到室温后,微黄色产物-ITO纳米线在基片衬底上生成;在上述制备过程中,石英管中的气压为250-350帕,与其同时以10-30sccm的速度通入氩气和氧气,或氮气和氧气的混合气体,混合气体中氧气的体积比5%-20%。
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