[发明专利]多孔硅的制备方法无效
| 申请号： | 200610031944.0 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1884069A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 唐元洪;林良武;朱利兵 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C01B33/027 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410082*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种多孔硅的制备方法，以去离子水为溶剂，加入不大于溶剂重量1％的一氧化硅粉末，混合后置入密封反应釜中，搅拌，并将剪裁好的硅片悬挂在该密封反应釜中，于200℃－500℃温度、3－40MPa压力下保温1－5小时，即由所悬挂的硅片制得多孔硅。所述搅拌可采用磁力搅拌器。所制备的多孔硅具有表面平整、孔分布均匀、串空率低、在空气环境中的发光稳定、强度高、制备过程操作简单、成本低等优点；最大的特点是无任何酸性物质的参与，有利于环保。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多孔硅的制备方法，其特征在于，以去离子水为溶剂，加入一氧化硅粉末且所加的量不大于溶剂重量的1％，混合后置入密封反应釜中，搅拌，并将剪裁好的硅片悬挂在该密封反应釜中，于200℃-500℃温度、3-40MPa压力下保温1-5小时，即由所悬挂的硅片制得多孔硅。
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