[发明专利]具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片无效
| 申请号： | 200610033365.X | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1828955A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 吴质朴;马学进 | 申请（专利权）人： | 吴质朴 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市康宏知识产权代理事务所 | 代理人： | 胡朝阳 |
| 地址： | 518000广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片，包括：基层、N型氮化镓层、有源区、P型氮化镓层、电流扩散层、P电极以及与N型氮化镓层连接的N电极。所述的电流扩散层和P电极之间还设有可使电流扩散层和P电极导通的第一缓冲层，N型氮化镓层和N电极之间设有可使N型氮化镓层和N电极导通的第二缓冲层。将大部分焊线电极放置于缓冲层之上，使得焊线时大部分温度和压力冲击由缓冲层吸收，提高了焊接可靠性和焊接后的良品率，并可使用铝合金作为电极，大大降低了芯片制造的成本，而且降低了后段封装的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缓冲 电极 结构 氮化 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片，包括：基层、N型氮化镓层、有源区、P型氮化镓层、电流扩散层、P电极以及与N型氮化镓层连接的N电极，其特征在于：所述的电流扩散层和P电极之间还设有可使电流扩散层和P电极导通的第一缓冲层，N型氮化镓层和N电极之间设有可使N型氮化镓层和N电极导通的第二缓冲层。
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