[发明专利]一种评估和监测介质层质量和可靠性的方法无效
| 申请号： | 200610034223.5 | 申请日： | 2006-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101017153A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 黄云 | 申请（专利权）人： | 信息产业部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G01N27/92 | 分类号： | G01N27/92;G01R31/12;G01B7/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 程跃华 |
| 地址： | 510610广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种评估和监测介质层质量和可靠性的方法，它包括如下步骤：首先设定缺陷导致被测介质层击穿为电场击穿；施加电场于被测介质层导致介质层击穿而得到击穿电压VBD；设定被测介质层的介电强度为EDS，介电强度EDS在一定工艺条件下为定值；得出被测介质层的等效厚度dEQ等于击穿电压VBD与介电强度EDS的比值；将等效厚度dEQ与被测介质层生产前的设计厚度相比较，从而得到实际的介质层厚度与设计间存在的差距。本发明用于工艺生产线实现对介质层的质量和可靠性进行快速评估和监测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 评估 监测 介质 质量 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种评估和监测介质层质量和可靠性的方法，其特征在于，它包括如下步骤：(1)首先设定缺陷导致被测介质层击穿为电场击穿；(2)施加电场于被测介质层导致介质层击穿而得到击穿电压VBD；(3)设定被测介质层的介电强度为EDS，介电强度EDS在一定工艺条件下为定值；(4)得出被测介质层的等效厚度dEQ等于击穿电压VBD与介电强度EDS的比值；(5)将等效厚度dEQ与被测介质层生产前的设计厚度相比较，从而得到实际的介质层厚度与设计间存在的差距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信息产业部电子第五研究所，未经信息产业部电子第五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610034223.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：小儿抗痫药物
- 下一篇：石油井控装置测控试压系统
