[发明专利]有机薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200610034391.4 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1845354A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 彭俊彪;曹镛;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法，有机薄膜晶体管由栅极、绝缘层、第一层电极、半导体层、第二层电极依次层叠构成；第一层电极作为漏极时，第二层电极作为源极；第一层电极作为源极时，则第二层电极作为漏极；漏极和源极分别位于有机半导体层的两侧，并在有机半导体层两侧上下错开。这种结构的晶体管能诱导载流子离开绝缘层－半导体层界面附近的耗尽区，直接通过半导体的本体注入漏极，从而有利于载流子的注入，提高迁移率，增大输出电流。本发明所提出的结构还能使导电沟道长度达到与半导体层的厚度相当的程度，远小于传统薄膜晶体管结构所能达到的最小沟道长度，这可以减小薄膜晶体管器件的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机薄膜晶体管器件，其特征在于由栅极、绝缘层、第一层电极、半导体层、第二层电极依次层叠构成；第一层电极作为漏极时，第二层电极作为源极；第一层电极作为源极时，则第二层电极作为漏极；漏极和源极分别位于有机半导体层的两侧，并在有机半导体层两侧上下错开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610034391.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
