[发明专利]多层结构纳米线阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 200610035749.5 | 申请日： | 2006-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1872660A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 任山;吴起白;许宁生;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由多层结构半导体纳米线组成的阵列及其制备方法。所述的纳米线结构为金属/半导体或半导体/半导体相互交替排列的多层纳米线，这些多层纳米线再相互平行直立排列组成阵列。其制备方法为二步法：首先利用多孔纳米模板电化学生长金属多层纳米线阵列；或应用光刻法将气相沉积法镀膜技术形成的多层金属膜蚀刻为金属多层纳米线阵列。再将其进行气—固反应(如硫化或氧化反应)，获得多层金属/半导体或半导体/半导体纳米线。通过本方法制备的多层结构纳米线材料，晶体完整、高度可控、排列有序。其制备工艺简单，成本低和生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 结构 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多层结构纳米线阵列，由相互平行的纳米线排列为阵列，其特征在于：任一纳米线为金属/半导体或半导体/半导体相互交替排列的多层结构。
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