[发明专利]一种发400nm蓝紫光InGaN芯片用稀土红色发光荧光粉及其制备方法

摘要

本发明涉及白光二极管领域，公开了一种发400nm左右蓝紫光InGaN芯片用稀土红色发光材料及其制备方法。本发明的稀土红色发光荧光粉的化学组成为：M^I₅M^III_1－x－y[M^VIO₄]₄:xEu³⁺，yR^III。M^I为碱金属离子Li⁺、Na⁺、K⁺中的一种或几种；M^III为稀土离子La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Sm³⁺、Gd³⁺、Y³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺中的一种或两种；M^VI为Mo⁶⁺、W⁶⁺中的一种或两种；R^III为La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Sm³⁺、Gd³⁺、Y³⁺、Tb³⁺、Bi³⁺中的一种；x、y为相应掺杂离子相对M^III离子所占的摩尔百分比系数，0.0＝x＝1.0，0.0≤y≤0.20。本发明的稀土红色发光荧光粉采用高温固相法制备。本发明的稀土红色荧光粉在400nm左右有很强的激发，发光效率高，稳定性好；以618nm的红光发射为主，红光发射的色纯度很好。

主权项

1、一种发400nm左右蓝紫光InGaN芯片用稀土红色发光荧光粉，其化学组成为：MI5MIII1-x-y[MVIO4]4:xEu3+，yRIII 其中MI5MIII1-x-y[MVIO4]4为基质；MI为碱金属离子Li+、Na+、K+中的一种或几种；MIII为稀土离子La3+、Ce3+、Pr3+、Sm3+、Gd3+、Y3+、Tb3+、Dy3+中的一种或两种；MVI为Mo6+、W6+中的一种或两种；RIII为La3+、Ce3+、Pr3+、Sm3+、Gd3+、Y3+、Tb3+、Bi3+中的一种；x、y为相应掺杂离子相对MIII离子所占的摩尔百分比系数，0.0＝x＝1.0，0.0≤y≤0.20。