[发明专利]低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜制备方法

摘要

本发明涉及一种制备低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜的方法。发明的特点是在真空中、沉积温度高于蒸发源温度条件下，蒸发源蒸发并沉积在衬底基板上形成准一维纳米结构及其薄膜。在一定真空条件下，不需要通入保护气氛，沉积基板位于高温区，金属蒸发源位于低温区并缓慢而稳定地蒸发；通入少量氧气，使其反应形成氧化物，并沉积在基板上形成准一维纳米结构及其薄膜。所制备的金属氧化物例如氧化镁、氧化锌、氧化铬准一维纳米材料在电子器件中有潜在的应用。

主权项

1、一种制备低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于：在真空中、基板温度高于蒸发源温度条件下，通过加热金属源使其蒸发；然后通入氧气，使所蒸发的金属和氧气反应形成相应金属氧化物，并沉积在基板上形成金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜。