[发明专利]氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的制备方法无效
| 申请号： | 200610037581.1 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1955110A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 谷云乐;刘应亮;曾文;徐子林 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82B3/00;C04B35/584 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510632广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温制备氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的方法，以SiCl4、NaN3和金属钠为原料，调控反应物配比，在400－500℃下反应，产物经过洗涤、过滤和干燥，即可分别得到氮化硅(Si3N4)纳米线和纳米带粉体材料。产物主要是β－Si3N4，含少量α－Si3N4，相对于SiCl4总产率90％以上。副产物为NaCl和少量氮气。氮化硅纳米线平均直径30nm，氮化硅纳米带宽40－80nm，厚度不超过20nm，平均长度约为500nm。本发明反应操作简单、安全，产物纯净，收率高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 纳米 带粉体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的制备方法，以SiCl4为硅源，以NaN3为氮源，在反应釜中进行反应，产物经洗涤、分离和干燥得白色粉末产品，其特征在于：在反应釜中还加入金属Na；反应在400-600℃温度、体系自生压力为5-40MPa的条件下进行0.5-6小时，得到氮化硅纳米线或纳米带；其反应的化学方程式表示为：其中n满足1.334≤n≤11.998。
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