[发明专利]具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列的气相合成方法无效
| 申请号： | 200610037968.7 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1810629A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 韩民;陈征;许长辉;杨玲;宋凤麒;贺龙兵 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C23C14/24 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 阙如生 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是采用气相聚集法团簇束流源(1)产生纳米粒子，通过绝热膨胀获得纳米粒子束流(5)，再经过准直器(4)进入高真空沉积室(6)而形成高度定向的纳米粒子束流；旋转衬底座，使衬底(7)与纳米粒子束流(5)成10°的入射角、并保持衬底(7)与阻挡掩模(11)位于纳米粒子束(5)的曝射区内，控制纳米粒子束流(5)对衬底(7)沉积30秒后，即可在衬底(7)的表面上获得具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列。该方法具有高效、低成本、工艺简单等特点，在常见的纳米粒子源的工艺参数下，通过数十秒钟就可以完成纳米粒子梯度阵列的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 直径 和数 密度 梯度 纳米 粒子 阵列 相合 成方 | ||
【主权项】：
1.一种具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列的气相合成方法，其合成步骤如下：(a)将阻挡掩模(11)垂直紧贴在衬底(7)的表面，把衬底(7)固定在可旋转衬底座上，然后将衬底座放置于密封的高真空沉积室(6)中；(b)采用气相聚集法团簇束流源(1)产生气相金属纳米粒子，在冷凝室(2)中，在氩气气氛中通过原子化器(8)产生高密度金属原子，金属原子在氩气中生长形成金属纳米粒子；(c)通过绝热膨胀获得纳米粒子束流，采用第一级差分真空系统(9)使冷凝室(2)中的纳米粒子随氩气通过气体动力学喷嘴(3)喷出到真空室中，形成金属纳米粒子束流；(d)通过准直器(4)的准直孔获得定向金属纳米粒子束流，由第二级差分真空系统(10)使金属纳米粒子束流经过准直器(4)进入真空沉积室(6)内，形成高度定向的金属纳米粒子束流；(e)旋转高真空沉积室(6)内的衬底座，使衬底(7)与纳米粒子束流(5)成10°的入射角，并保持衬底(7)与阻挡掩模(11)位于纳米粒子束流(5)的曝射区内；(f)控制纳米粒子束流(5)对衬底(7)沉积30秒后，停止沉积，即可在衬底(7)表面获得具有直径和数密度一维梯度的纳米粒子阵列。
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